¿Por qué la base está ligeramente dopada y el emisor está fuertemente dopado?
En la mayoría de los transistores, el emisor está fuertemente dopado. Su trabajo es emitir o inyectar electrones en la base. Estas bases están ligeramente dopadas y son muy delgadas, pasan la mayoría de los electrones inyectados por el emisor al colector. El colector se llama así porque recoge electrones de la base.
¿Qué región del transistor es muy delgada y ligeramente dopada?
La región base de un transistor BJT es muy delgada y está ligeramente dopada con portadores de corriente. Es la región de un transistor que tiene portadores de carga de polaridad opuesta de las regiones del emisor y del colector.
¿Por qué el transistor se llama transistor de unión bipolar y mantiene la base muy delgada y ligera?
La región base de un transistor se mantiene muy pequeña y ligeramente dopada para pasar la mayoría de los portadores de carga inyectados al colector.
¿Por qué la base está ligeramente dopada?
La conductividad aumenta con un aumento del dopaje. Entonces, si dopamos mucho la región base, pasará más corriente a la terminal base. Por lo tanto, la corriente de salida (corriente de colector) se reduce. Por esta razón, la base está ligeramente dopada.
¿Por qué la base está ligeramente dopada?
La región de la base en un transistor está ligeramente dopada para que la densidad numérica de los portadores mayoritarios (electrones en pn y huecos en el transistor npn) sea baja. Cuando el emisor tiene polarización directa, la mayoría de los portadores se mueven del emisor al colector a través de la base.
¿Cuál está ligeramente dopado?
¿Por qué la corriente de base en un transistor es muy pequeña?
Pocos electrones inyectados por el emisor en la base de un transistor NPN caen en los agujeros. La mayor parte de la corriente de electrones del emisor se difunde a través de la base delgada hacia el colector. Además, la modulación de la corriente de base pequeña produce un cambio mayor en la corriente del colector.
¿Por qué la base es delgada en el transistor?
La base de un transistor se mantiene muy delgada en comparación con el colector y el emisor, de modo que la mayoría de los portadores (portadores significa electrones en el caso del transistor NPN y agujeros en el caso del transistor PNP) pasan al colector, inyectados desde el emisor, es decir, menos número de recombinación de huecos de electrones tiene lugar y todo…
¿Por qué la base de un transistor es delgada?
La región de la base en un transistor se hace muy delgada para que haya una mejor conducción de los portadores mayoritarios desde el emisor al colector a través de la base. La región de la base en un transistor está ligeramente dopada para que la densidad numérica de los portadores mayoritarios (electrones en pn y huecos en el transistor npn) sea baja.
¿Por qué la región base de un transistor es delgada y ligeramente dopada?
Para un transistor NPN, por ejemplo, los portadores se inyectan en la región base por difusión desde el emisor. El emisor es de tipo N y la base es de tipo P. Estos portadores deben llegar a la corriente del colector sin perder ninguno de ellos en recombinación con huecos en la región base.
¿Por qué el emisor en un transistor está fuertemente dopado?
En la mayoría de los transistores, el emisor está fuertemente dopado. Su trabajo es emitir o inyectar electrones en la base. Estas bases están ligeramente dopadas y son muy delgadas, pasan la mayoría de los electrones inyectados por el emisor al colector.
¿Cuál es la región base de un transistor BJT?
La región base de un transistor BJT es muy delgada y está ligeramente dopada con portadores de corriente. Es la región de un transistor que tiene portadores de carga de polaridad opuesta de las regiones del emisor y del colector.
¿Cómo se controla la recombinación de huecos de electrones en un transistor?
El flujo de portadores de carga mayoritarios del emisor al colector está controlado por la base de un transistor. La recombinación de huecos de electrones tiene lugar en la región de la base cuando el emisor está polarizado directamente. Si la base es delgada y ligeramente dopada, tendrá una pequeña densidad numérica de portadores de carga mayoritarios.